生化学分野はじめ、多くの化学や工学プロセスの研究においてもpH測定は重要です。あらゆる分野で必要とされるISFET pHセンサのカスタマイズサービスをぜひご利用ください。
アイスフエトコムでは、研究用ISFETおよび特注品の開発を承ります。
化学反応によるpHの動的な変化を正確に知る必要がある研究者のみなさまのために、イオン感応型電界効果トランジスタ(Ion-Sensitive Field-Effect Transistor)をFPC(Flexible printed circuits)に実装し研究用ISFETとして提供します。
ISFET pHセンサは、ステンレス製pHセンサやガラス電極型pHセンサと異なりフレキシブルな実装が可能ですので様々な用途にご活用いただけます。
高温高圧の深海からバイオ、医療、そして農業分野でのpH計測に貢献しています。
また、FETのゲート膜の分極電圧Vgsを出力する「高精度Vgs Meter」も提供します。
研究用ISFETをご希望の方へ
全てのご要望に対応可能とは限りませんので
ご理解をお願いいたします
基本仕様
材 料 | p型シリコン |
構 造 | シリコン基板上に接合分離した絶縁膜ゲート型電界効果トランジスタ |
ゲート、Nチャンネル、 デプレッション型ISFET絶縁膜 | 五酸化タンタル膜 |
形 状 | 方形チップ内にゲート部と電極パッドを分離して配置 ドレイン(D)電極、ソース(S)電極端子は、以下の配置になっています Nチャンネル、デプレッション型ISFET(比較電極で若干異なります) ドレイン電流 Id(μA)=10μA~300μA ゲート電圧 Vgs(mV)=-00mV~-2500mV |
注 記 | 深海など高温高圧下での使用では、上記のセンサを加工する必要があります 用途に応じて必要ならFPCの設計を変更可能です また、pH計回路ユニットは開発可能ですのでご相談ください |
高精度Vgs Meter
FETのゲート膜の分極電圧Vgsを出力します

ポケット型 高精度Vgs Meter
FETのゲート膜の分極電圧Vgsを出力します。Vgs(mV)は温度により変化しますので、温度一定の条件下での測定をおすすめします。
CALスイッチを押すと、Vgs値を「1000mV」に設定できます。(「1000mV」からの変化を知ることができます)
仕様:
・ ISFETのVgs値を表示
・ 分解能±0.02mV
・ 表示 1mV表示